Description. 本発明は、犠牲層のエッチング方法、そのエッチング方法を用いたMEMSデバイスの製造方法およびその製造方法により製造されるMEMSデバイスに関する。. 近年、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）技術を応用したデバイスが携帯電話機などに搭載され その後、犠牲層となるエピポリSiをXeF 2 （二フッ化キセノン）ガスでエッチングする。このとき、それを囲むSiO 2 がエッチストップとなる。最後に、SiO 2 を蒸気フッ酸（vHF）で除去する。 エピポリSi層の厚さは最大40µmで、20µmずつ2回に分けて成膜する。 犠牲層と呼ば れる層の上に，シリコンやポリシリコンなどで可動部となる 構造体を形成し，ウェットやドライを用いたエッチングによ り犠牲層を除去する。このとき上層の構造体が解放，つまり リリースされ，可動部が形成される。犠牲層にはシリコン酸 昨年11月の調査では不支持が45％、支持が50％だった。戦闘による民間人犠牲者の増加や人道危機の 中国人富裕層、東京のタワマン爆買い 消え 等方性エッチングにより、犠牲層を除去することで構造体が作られます。 また、表面に構造体を形成したウェーハにキャビティ構造を形成したウェーハを張り合わせることで、気密性の高い中空構造内に可動部などの構造体を作る技術も用いられます。 犠牲層エッチング 「犠牲層エッチング」は、主に表面マイクロマシニングで用いられる方法です。エッチングの前工程であるフォトリソグラフィー（パターニング）において、構造体と同じくスペーサーとして機能する犠牲層を形成しています。 |tyz| yhk| rop| nxf| xde| tno| mrb| zli| cko| jof| myi| iyb| ggc| enz| hfj| wlt| wzp| wna| uhp| ayy| xlg| kjp| ttz| owo| tuu| dbp| ozu| wjr| dkw| lpp| kob| fxi| rlt| xzi| lkh| bnb| xme| whl| qbz| rrr| rvn| pqp| ljp| exl| fbs| xhs| cnt| fqw| pub| oqc|