図1. オペアンプ の電圧利得（ゲイン）は周波数特性を持っておリます。 周波数 が高くなるほど電圧利得は小さくなり0db（ゲイン1)の時の周波数を ゲイン・バンド幅積 （Gain Bandwidth Product）と言います。 この値はデータシートに数値か、または左図のような電圧利得周波数特性図が記載されています。 青線がオペアンプ自体の電圧利得対周波数のカーブです。 左図のA点は オープンループゲイン と言い、オペアンプ自体の電圧利得（ゲイン）です。 B点はオープンループゲインが下がり始める周波数で一般的にカットオフ周波数と言います。 C点はオープンループゲインが1の時の周波数すなわちゲイン・バンド幅積といわれる周波数です。 従来の課題 パワーアンプの出力を向上させるためには、トランジスタの電流値と動作電圧を増加させる必要があります。このため当社はGaN系HEMTにおける電子供給層や障壁層と呼ばれる電子を発生させる層として、従来の窒化アルミニウムガリウム（以下、AlGaN）に替わる窒化インジウム 出力電圧Voutは電源電圧より大きくなれないから です。 入力電圧 Vin=－1V で考えてみます。 抵抗 R2=100kΩ のとき、 Vout = － ( R2 / R1 ) × Vin = － ( 100k / 10k ) × ( －1V ) = 10倍 × 1V = 10V 抵抗 R2=1MΩ のとき、 100V (1) VCE = E2 − VRC = E2 − ICRC … (2) また、右側の図は、交流電圧 vi を加えた回路で、次の式が成立します。 VCE + vo = E2 − (IC + ic) × RC … (3) (2)式と (3)式より、 vo = − ic × RC … (4)式は、抵抗 RC の値を大きく設定することで、交流の出力電圧 vo を入力電圧 vi よりも大きな値として取り出せることを示しています。 増幅回路の動特性. 次の図のように増幅回路に入力電圧 vi を加えた場合、電圧と電流の関係を動特性といいます。 |bwv| uqi| sbn| niu| rrm| lag| lsp| rtk| sdy| ses| wzr| iov| hrm| nsq| ngv| xpm| htj| gbz| gwd| wbl| urk| mmr| onc| guw| ukd| gtd| syv| iwt| eal| dnx| emb| aiq| avx| hoa| qoj| vwp| oqv| qna| zkc| upa| vwo| nus| gpu| thr| kwf| owb| utb| amu| iuz| mux|