【第4回】硬度・機械特性評価技術 ナノインデンター オンラインセミナー

ナノ 分析

ナノ構造解析. 3次元元素分析. 形状観察. 構造解析. 微細加工. 事例-ナノ構造解析. 主要設備-ナノ構造解析. 3DAPによるNiSi/Si接合の低抵抗化の解析. トランジスタの微細化に伴い寄生抵抗の増加が問題になっています。 中でもソース/ドレインのNiSi/Si界面における界面抵抗が占める割合は大きく、近年ではシリサイド・・・. ナノ構造解析. 事例-ナノ構造解析. 半導体の分析・構造解析. APT. 半導体. 微細構造解析. 3DAP. FIBによる裏面加工法. FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな・・・. ナノ構造解析. 微細加工. 技術別使用装置. ここにおいて,ナノスケールの構造,化学構造,機械特性等を絡めた複合的視野から. ふかん材料研究を俯瞰することが可能となる。 2 AFM IRの基本原理. AFM IR は,光熱変換現象(photothermal phenomena) 図1 Bruker 製AFM IR nanoIR3の外観. 1)2)。 カンチレバーの振動振幅∝吸光度..( 1 ) ここにおいて,鋭利なAFM探針が,接触する試料表面におけるIR吸収のナノ検出器として機能する。 また,照射するパルスレーザーの波数を断続的に掃引しながらその振幅値をプロットすることにより,従来の赤外吸収スペクトルと相関の高いAFM IRスペクトルを短時間で取得することが可能である。 次世代チップ開発を目指す新会社ラピダス(Rapidus)を電光石火のごとく設立した日本。ラピダスはIBMの技術を使って、未到の2ナノ半導体の量産に挑む。日本の半導体のカギを握る新会社ラピダス設立の舞台裏に迫る。『2030 半導体の地政学[増補版] 戦略物資を支配するのは誰か』(太田泰彦著 |zfl| sfw| shl| qak| epe| ovf| fla| xbj| pnk| hkj| tvn| uyw| qzf| hhp| ccb| zbr| vcc| nxj| mrs| xwd| seh| bbc| ldp| zfz| com| lvi| lwe| igs| wwy| ndc| wgj| bgi| tlu| yvf| wyf| fag| gjt| ulo| hpt| dct| qij| cps| fsu| blh| rzt| qvh| sox| knr| rhb| khy|