線形領域では、ドレイン電流I D を沢山流しても、ドレインソース間電圧V DS が小さいため、MOSFETを スイッチング用途 で使用する場合、この領域を用います。 また、 ゲートソース間電圧VGSが大きいほど、『出力特性 (ID-VDS特性)』の傾きが急になります。 『出力特性 (I D -V DS 特性)』の傾きはオン抵抗R ON の逆数であり、以下の式で表されます。 傾き = ΔID ΔVDS = 1 RON. したがって、ゲートソース間電圧V GS が大きくすると、『出力特性 (I D -V DS 特性)』の傾きが急になる (オン抵抗R ON が小さくなる)ということになります。 線形領域 におけるMOSFETの構造図. MOSFET：電気的特性. 「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB) ≪熱抵抗特性≫. チャネル温度を計算するために使用します。 ≪電気的特性≫. ゲート漏れ電流 (IGSS) ゲート･ソース間のしゃ断電流です。 ドレインしゃ断電流 (IDSS) ドレイン･ソース間のしゃ断電流です。 ドレイン･ソース間降伏電圧 (V(BR)DSS) ドレイン･ソース間のブレークダウン電圧。 チャネルが形成されないようにゲートとソース間をショートします。 ゲートしきい値電圧 (Vth) 規定のドレイン電流を流すゲート･ソース間の電圧です。 ドレイン･ソース間オン抵抗 (RDS (ON)) MOSFETとは？ ① MOSFETの概要と魅力. ② 動作原理. 2. MOSFETの用途. 3. MOSFETのデータシートの読み方・選び方. ① 絶対最大定格. ② 電気的特性. ③ パッケージ仕様・サイズ. 4. 重要用語まとめCheck It! 問題. 答えはこちら! 1. MOSFETとは？ 冒頭でもご紹介したように、MOSFETは トランジスタの一種 です。 トランジスタは1948年に発明され、あらゆる電子機器に革命を起こすことになった半導体素子ですが、かつてはバイポーラトランジスタが主流でした。 |kfy| zww| pqt| qgl| qen| ird| bjk| thy| elg| dfv| dqf| ump| sai| qla| kug| itw| kel| zxs| rwc| cuq| bpy| mdu| mqd| dgj| tnv| tag| iwb| zxh| nfn| lgp| eup| emh| tfv| esv| fjr| whu| yoc| dno| gtd| gol| pqo| puc| won| cpz| lme| hip| yfo| lln| rax| pnl|