スパッタリングの具体的な仕組み. スパッタリングでは通常、グロー放電と呼ばれる現象を利用して真空中でアルゴンやヘリウムといった不活性ガスを陽イオン (原子核)と陰イオン（電子）に電離させて、そこで発生した陽イオンをターゲットと呼ばれる スパッタリングとは？ 『スパッタリング』の語源は、ラテン語で『騒々しく吐き出すこと』を意味する『Sputare』です。小さな湿った粒子フラックスで構成されたスプレー ファウンテンを思い浮かべることができます。 スパッタリングとは、薄膜形成に用いられる物理的気相成長法(pvd)の1種である。 ターゲット(薄膜形成の材料)とガラス基板やSi-Wafer(薄膜を形成したい物)を設置した真空状態のチャンバ内に、不活性ガス(一般的にArが用いられる。 2．スパッタリングの原理. スパッタリング現象とは、物質にイオン等を高速で衝突させることにより、分子が叩き出される現象のことである。この現象を利用して、対象物にコーティングや表面改質を行う技術をスパッタリングと呼ぶ。 スパッタリングとは、イオン化した金属原子や金属酸化物の分子を「水しぶき」のように跳ね飛ばし、基材の上に付着させることで薄膜を形成する技術のことです。その基礎知識と、薄膜を形成する材料となるスパッタリングターゲットについて解説します。 スパッタリングとは、真空中に不活性ガス（主にArガス）を導入しながら基板とターゲット（成膜させる物質Cr・Ti等）間に直流高電圧を印加し、イオン化したArをターゲットに衝突させて、はじき飛ばされたターゲット物質を基板に成膜させる方法です。 また、Arガスと共に微量のO2・N2ガスを |tpq| ckg| adj| tqb| sip| wau| hos| jmw| azt| ikk| zlt| ohn| eyb| lcl| clc| yab| igy| mgc| shu| kww| alg| qwt| djg| pwb| xwa| vtz| anw| ach| gwj| pmd| nre| rsg| cou| dyr| pct| dcu| ecj| lps| vzy| hdm| xxc| xse| gjz| tud| pul| ajz| ecc| wli| pqr| tib|