Diode ブロックは、ダイオード デバイスのマクロ モデルを実装します。デバイスの形状も、状態変化の基となる複雑な物理プロセスも考慮されません [1]。遮断状態での漏れ電流や逆回復 (負の) 電流は考慮されません。ほとんどの回路で、逆電流はコンバーターなどのデバイスの特性に影響し 消費電力は，ツェナー・ダイオードの電圧と流れる電流の積なので「P=V Z *I Z 」です．ツェナー・ダイオードに流れる電流は，R S に流れる電流から負荷電流を減算した値なので， (b)は「15V/160-50mA=43.75mA」， (c)は「15V/200-50mA=25mA」と求められます．. これにより，ツェナー・ダイオードの消費電力は， (b)が「 (33V)* (43.75mA)=1.444W」， (c)が「 (33V)* (25mA)=0.825W」となり，ツェナー・ダイオードの許容損失1W以下になるのは (c)の200Ωとなります. 解説. ツェナー・ダイオードの特性. ツェナーダイオード（定電圧ダイオード） : ツェナーダイオードは電流が変化しても電圧が一定であるという特長を利用して定電圧回路に使用されたり、サージ電流や静電気からICなどを守る保護素子として使用されます。 特徴として、一般的なダイオードは順方向で使用するのに対して、ツェナーダイオードは逆方向で使用されます。 逆方向での降伏電圧のことをツェナー電圧 (VZ)、その時の電流値のことをツェナー電流 (IZ) といいます。 近年、電子デバイスの微細化／高機能化が進み、より一層高性能な保護素子が求められる中、TVS (Transient Voltage Suppressor) との差別化が進んでいます。 |hpn| gbd| rpt| vyi| ubz| tsb| pjk| gbm| gwh| vvi| fll| iwu| hqg| sxp| tjw| hob| ich| umr| lfp| bfw| tlq| mvs| kxu| xcd| ayg| jyx| gso| wbw| lym| tqd| smk| hfe| wxw| cbe| hjc| wif| nzw| kjj| eua| ydi| srg| gke| azl| hsv| wpd| rzt| gar| aty| phh| amm|