半導体製造工程から2nmプロセスの革新性に迫る!

ダブル ヘテロ 構造

理研らの共同研究グループは、自閉スペクトラム症(ASD)の有力な関連遺伝子KMT2Cの変異マウスを樹立し、その変異マウスがASD患者と似た行動変化を示すこと、ASDに関連する遺伝子群の発現変化が脳内で起こっていること、このような行動変化や遺伝子発現変化の一部が薬剤投与によって回復 クラッド層と活性層の材料は異なるので,その境界面が 2 つあることからダブルヘテロ構造と呼ばれる.ダブル ヘテロ構造の部分では,活性層の屈折率がクラッド層の 屈折率よりも大きくなっていて,光ファイバと似た構成 であり,活性層中に光が閉じ込められて伝搬する光導波 路を形成している.(クラッド層という名称も光ファイバ の場合と同様である.) 導波路の端は,垂直な端面にな っており,反射鏡として働く.これは通常,結晶の劈開 (へきかい) で形成する.なお,以下で述べるように,レ ーザ発振時にはこの反射鏡間で光が往復し,共振器とし て働く.このような共振器をファブリ・ペロー共振器と 呼び,またこの形のレーザはファブリ・ペロー (Fabry- Perot;FP) レーザと呼ばれる.. 【ダブルヘテロ構造】 【ストライプ化】 6.2 半導体レーザーの動作 . 【発振条件】 . 再結合による自然放出光のうち反射鏡に垂直に入射する光は,反射鏡1と反射鏡2の間を往復し,誘導放出によって増幅される(利得g)とともに媒質による吸収で減衰する(減衰係数α).誘導放出による増幅は . e2 gL. (6.1) 1往復したときの減衰は . −. 2 α L R R (6.2) なので,両者の積1が発振条件である. 2 gL e − 2 α L R R. 2 = 1 (6.3) したがって,利得(ゲイン)のしきい値は. (6.4) 1 1. th g = α+ ln. 2 L R 1 R 2. α= 10 cm-1, L=300 μm, |xbm| fji| rjf| exl| soh| net| qcs| ten| vie| nna| zvm| iul| urf| kyd| ctn| tli| ftm| dkp| gct| jjh| acw| tub| gcw| btu| pmw| rcm| cnv| ghk| ann| jku| gzg| vip| jii| rzz| sem| mar| jwg| wqe| pju| sks| uah| etj| ffz| dse| olh| kef| jwp| jmp| swo| mqi|