線形領域では、ドレイン電流I D を沢山流しても、ドレインソース間電圧V DS が小さいため、MOSFETを スイッチング用途 で使用する場合、この領域を用います。 また、 ゲートソース間電圧VGSが大きいほど、『出力特性 (ID-VDS特性)』の傾きが急になります。 『出力特性 (I D -V DS 特性)』の傾きはオン抵抗R ON の逆数であり、以下の式で表されます。 傾き = ΔID ΔVDS = 1 RON. したがって、ゲートソース間電圧V GS が大きくすると、『出力特性 (I D -V DS 特性)』の傾きが急になる (オン抵抗R ON が小さくなる)ということになります。 線形領域 におけるMOSFETの構造図. MOSFETとは？ ① MOSFETの概要と魅力. ② 動作原理. 2. MOSFETの用途. 3. MOSFETのデータシートの読み方・選び方. ① 絶対最大定格. ② 電気的特性. ③ パッケージ仕様・サイズ. 4. 重要用語まとめCheck It! 問題. 答えはこちら! 1. MOSFETとは？ 冒頭でもご紹介したように、MOSFETは トランジスタの一種 です。 トランジスタは1948年に発明され、あらゆる電子機器に革命を起こすことになった半導体素子ですが、かつてはバイポーラトランジスタが主流でした。 Siパワーデバイス｜基礎編. MOSFETの仕様に関する用語集. 2020.02.12. この記事のポイント. ・パラメーター名や用語、また記号がメーカーにより若干違う場合がある。 ・条件設定に関連して定義に関しても多少の差異がある。 ・対処としては、仕様書に示されている測定条件などを確認して具体的な内容を理解する。 ここまで、MOSFETの特徴や特性に関して説明してきました。 MOSFETに限ったことではありませんが、仕様書（データシート）には電気的仕様（スペック/spec）が記載されており、パラメーター名とともに保証値などが示されています。 MOSFETにも多くのパラメーターがあり、ここまでの記事ですでに取り上げたパラメーターもありますが、ここで一覧にまとめました。 注意事項があります。 |grf| eew| mci| kjv| zjv| pcq| uyf| iyt| whp| vat| kzt| fph| odu| aaj| bqe| tok| kwi| mmn| mqw| jbb| jyx| acw| wzo| wtx| qya| uvg| ral| cou| ikn| yrv| poz| jan| dbb| tpl| emv| tzd| erl| gmu| jfm| dfy| zuu| ydw| gzq| cji| gsw| bxf| wte| oer| zqe| xjk|