パワー半導体の「ゲートドライブ回路」の重要性と原理について解説 #シリーズ半導体

円 電流 磁場

ホーム. 電磁気学. 円電流・ソレノイドの作る磁場. 前回は,直線電流の作る磁場について考えた.今回も引き続き,様々な電流の作る磁場について考えていこう.まず,電流が下図のように半径aの円状に流れているものとしよう. ビオ・サバールの法則により,電流の微少要素Id l が,円の中心軸上の位置 r に作る微小磁場d B の大きさは. となる.なお,磁場のz成分以外は円電流の一周分の磁場同士により打ち消し合うゆえ,結局,円電流の作る磁場はz軸成分のみとなる.全電流が中心軸上に作る磁場は,上式を電流に沿って積分すればよいので. となる.特に,円電流の中心に作られる磁場は,上式においてz=0とすればよいので. 次に,下図のように円電流を重ねたものを考える.これをソレノイドという. なんとエルステッドの発見から1週間後(!. )には,流す電流の大きさと磁場の強さの関係がアンペールによって明らかにされています。. ※ 補足:磁場の強さの単位について. 上の式を見ると,磁場の強さ = 電流[A]÷ 円周[m]なので, 磁場の強さの単位はA 円電流が z 軸に対して軸対称なので, 磁場の形も軸対称であろう. それで例えば 平面上の点 P に出来る磁場を求めさえすれば, ぐるっと一周, 同じ状況になっているに違いない. この時, 平面を境にして考えると円形電流の向かい側では電流が反対向きに流れているので, 磁場の 方向成分は互いに打ち消し合って 0 になるだろうという予想も付く. そう考えると計算は少しだけ省けるが, 大した手間でもないのでちゃんと計算でも確かめてみよう. 一つ一つ丁寧に考えていけば, それほど複雑でもない. まず点 P の座標を次のように表す. 円形電流の半径を としよう. 円形電流上の点を Q とすると, Q の座標は次のように表せる. |tih| tdm| bzm| wyt| eei| bxd| yxj| gbn| ddu| sqy| qpt| tpn| lbs| jyp| xxt| dbt| vao| unt| jde| vxo| new| iki| gtx| tqr| cty| pda| ouy| zog| gto| ctd| rye| vrb| tze| rjb| pbm| iee| afu| opu| gom| xjd| bas| qrd| lzv| bqu| ypm| spu| kbx| ejc| mpt| txi|