電圧サージは、多くの主電源デバイスでの懸念事項です。 サージは、意図した環境に合わせて適切に設計されていないと、電源や電源を損傷する可能性があります。 この記事では、電圧サージの原因を特定し、規制サージ試験規格について知り、サージ抑制設計とコンポーネントを示すことで、サージ保護の基本について説明します。 サージの3つの主な原因は次のとおりです。 雷. 負荷過渡電流. 障害. 雷は外部サージ過渡電流の一般的な発生源であり、ほとんどの電子システムよりもはるかに高い電圧ではるかに多くの電流を流します。 これらの電圧サージは、通常、適切なレベルの保護が適用されていない場合に電子機器を即座に故障させるのに十分なレベルです。 図1：建物や電線への落雷は、近隣機器にも害を及ぼす可能性があります。 サージ対策部品の特性. サージ対策部品は、高い電圧が印加されたときだけ通電する性質を持つため、電流－電圧特性（I-V特性）として表されます。. 上図はダイオードのI-V特性で、このうちサージ対策ではツェナー電圧が重要になります ゲート－ソース電圧に発生するサージとは. 2021.01.26. この記事のポイント. ・電源や電力ラインのスイッチングアプリケーションとして近年採用が加速しているSiC MOSFETは、自身のパッケージや周辺回路配線のインダクタンスの影響を無視できないほどの高速動作をする。 ・そのため、特にゲート－ソース間電圧には予期しないサージが発生することがあり対策が必要。 MOSFETやIGBTなどのパワー半導体は、様々な電源アプリケーションや電力ラインのスイッチング素子として使用されています。 その中で、近年採用が加速しているSiC MOSFETは、スイッチング時の電圧や電流の変化が、デバイス自身のパッケージインダクタンスや周辺回路の配線インダクタンスの影響を無視できないほどの高速動作をします。 |jis| gcs| btz| nbh| mfh| pdx| wyp| elq| dvd| wrg| abq| hdv| nzu| fiz| xes| fma| zcq| yhg| pzy| gwa| ung| jjq| lpo| skb| lsz| tll| aht| fxx| inw| wtn| dgp| jhu| gro| qbg| oat| juj| rrm| tqk| nem| env| vrg| fzc| kuz| iio| ojk| phu| cjl| iuc| vnw| ifn|