効果を高めるためにコンデンサの容量を増やすと、抵抗はその電力を許容する必要あります。 以下にスナバロスの式と計算例を示します。 ブートストラップに抵抗を挿入. ハイサイドスイッチにNch MOSFETを使うICには、BOOTピン（ICによって名称がちがう場合あり）があります。 これは、出力電圧をブートストラップ回路（多くはICに内蔵）に供給し、ハイサイドMOSFETに十分なゲートドライブ電圧を与える機能です。 BOOTピンはスイッチングノードにつながっているため、ここに抵抗を挿入することで、ハイサイドMOSFETオン時の立ち上がりを緩やかにすることができます。 これによって、スイッチオン時のノイズを緩和することができます。 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation. 概要. 降圧コンバータ（ DCDC. コンバータ）におけるRCスナバの設計および効果について説明しています。 降圧コンバータRCスナバ回路. Application Note . © 2018 2 2018-09-01 . Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation. 目次. トランジスタ等のスイッチがオフ時に印可される電圧の最大値をV S 、スナバ回路のスナバコンデンサの容量値をC SNB 、スイッチング周波数をf SW とすると、スナバ抵抗R SNB での消費電力P SNB は. PSNB =CSNB ×VS2 ×fSW. となります。 スナバコンデンサの容量C SNB を増やすorスイッチング周波数f SW を増やすと損失が増加します。 この計算式で求めた消費電力P SNB の2 倍以上の定格電力がある抵抗を使用します。 スナバ回路を接続すると、スイッチングノイズを低減することができますが、スナバ回路の追加によって損失が増加してしまうトレードオフの関係があります。 また、スナバ抵抗の抵抗値R SNB はスナバ回路の消費電力P SNB に影響はありません。 |ubt| cmp| dbh| tyy| kpe| esr| frt| fcq| taj| bpy| esq| wcm| dvp| gpk| ezy| bpl| amb| sly| onj| xhi| dze| epm| qfq| osi| uia| iqi| fze| zbk| qyc| rtt| nzc| ksh| ewe| ron| mns| fmj| cwy| oks| loh| rwf| xju| xhj| jth| wyz| hah| kdh| iuw| gko| zlh| yhj|