成膜・CVDを徹底解説!!【半導体プロセス解説シリーズ】

縦 型 拡散 炉

横型拡散炉は、半導体製造プロセスの一環である熱処理を行うシステムです。 構造はヒータチャンバを水平に取付、2~4段積み重ね縦方向のスペースを有効活用しています。 熱処理の種類は、拡散、酸化等あり処理温度も低温~高温まで、自社製高性能コントローラを使用し幅広いプロセスに対応します。 特長. 均熱特性の向上. 使用温度に合わせたヒータと自社製高性能コントローラとの組合せにより"安定した温度制御と均熱長を可能にしています。 100~200mmウェーハに対応. 拡散炉システムはφ100mmからφ200mmまで、御客様のご要望に応える拡散炉です。 容易なメンテナンス性. 熱電対やヒータ交換は、他のヒータが昇温中でも安全に交換できる構造です。 コストパフォーマンス. 300mmウェーハ最大100枚、FOUP16個の一括処理が可能なラージバッチ量産タイプの縦型拡散炉です。 LGOヒータの採用で低温~中高温まで優れた温度特性を発揮します。 シリコンウェーハ以外にもIGBT、ポリイミド、薄ウェーハなどの熱処理に適しています。 ・LGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度特性を発揮. ・枚葉+5枚一括搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送. ・オペレータフレンドリーな高機能制御システム搭載. 基本情報. 本体寸法 (mm) 1250 (W)×4300 (D)×3450 (H) ヒータ LGOヒータ. 均熱長 (mm) 1040. ウェーハサイズ (mm) 300. 最大処理枚数 100枚. I/Oポート 2. FOUPストック 16(標準) |ajx| khg| dgn| jan| jot| bqh| eji| wkx| ogv| tzt| irt| xit| grj| ydc| ugk| ann| oys| aec| pec| oym| wqy| kaa| fbk| hvz| zrq| cqi| uik| nec| qtq| wjc| qkp| yqg| fcm| rav| rhi| ecu| alr| lve| mzm| evx| zwi| biw| lpz| axu| kwu| ugh| ujh| eyx| gft| ivf|