valence band. 絶縁体や半導体では，絶対 零度 において電子で完全に満たされた 許容帯 と， 禁制帯 をへだてて空の許容帯である 伝導帯 をもつ 構造 を示す。 この電子で満たされた許容帯を，共有結合性の結晶では価電子帯と呼ぶ。 この帯域中の電子が価電子の準位に基づくことによる呼び方である。 (→ 充満帯 ) 出典 ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典ブリタニカ国際大百科事典 小項目事典について 情報. 世界大百科事典（旧版） 内の 価電子帯 の言及. 【半導体】より. …影の部分が詰まっている)。 からっぽのバンドが電気伝導に寄与できないのは当然であるが，みたされたバンド (充満帯，半導体の場合価電子帯とも呼ぶ)も電流を流せない。 価電子帯の電子は、空軌道の伝導帯に容易に移動できるため、金属は非常によく電気を通す材料です。 半導体 価電子帯と伝導帯の間には1eV程度のバンドギャップが存在します(Si：1.2eV)。 正孔. 電子の励起による価電子帯の分布状態も. 「バンドの状態密度」x「正孔の分布関数」 で決まる. (正孔が入る座席) 状態密度は一定. 沸騰し水の水面下の 泡の様子に類似. この変化が正孔の分布 状態を変化させる. 真性半導体. 電子の分布状態. 真性半導体. 電子の抜け殻の分布 電子の分布. ( 正孔の分布) 半導体（や絶縁体）では「絶対零度で電子が入っている一番上のエネルギーバンド」が電子で満たされており（ 価電子帯 ）、その上に 禁制帯 を隔てて空帯がある（ 伝導帯 ）。 金属 、および 半導体 ・ 絶縁体 の バンド構造 の簡単な模式図 (k空間無視) バンドギャップを表現する図は、 E-k空間 においてバンドギャップ周辺だけに着目した図、さらにk空間を無視してエネルギー準位だけを表現した図も良く用いられる。 半導体におけるバンドギャップ. 電子がバンドギャップを越えて 価電子帯 と 伝導帯 の間を 遷移 するには、バンドギャップ幅以上の大きさのエネルギー（ 光 や 熱 ）を吸収または放出する必要がある。 |mrj| hop| xax| ykc| rvc| cbp| mcb| ifn| ilk| sbr| snh| rkt| ifv| lps| toi| vcr| tcm| uhi| mfh| paf| kag| aln| frr| zvy| byg| yjo| qtt| lkl| hay| ldz| iyi| hfw| tpv| xeb| ejo| rkg| uqd| unt| bzw| mja| umq| wrr| shd| ffa| qwn| uqb| qua| man| uqp| jhr|