概要. イオンビームによるスパッタとESCAによる表面の分析を交互に行うことにより、深さ方向における組成／化学状態分析をnmオーダーの分解能で分析できます。 Arモノマーイオン銃およびArガスクラスターイオン銃（GCIB）を搭載したESCAでは、無機物および有機物の深さ方向分析が可能です。 【図1】イオンスパッタによる深さ方向分析. 分析事例. （1）無機単層膜の深さ方向分析（Arモノマーイオン銃） Si基板上に100nmのSiO 2 膜を形成したサンプルの深さ方向組成分析結果を図2に示します。 SiおよびOの組成が深さ方向で変化している様子が分かります。 【図2】SiO2／Siの深さ方向組成分析（左：試料の想定図、右：深さ方向分析結果） （2）有機単層膜の深さ方向分析（GCIB） Tweet. ページ番号：143340. イオンスパッタリング装置. ※指導員の指導を受けて機器を利用する場合は、使用料の他に指導料が1時間あたり2,500円かかります。 ※一部の機器は、事前に研修を受ける必要があります。 詳しくは、 研修の受講方法 をご覧ください。 ※機器の利用時に必要となる一部の消耗品については、使用量に応じて実費精算できます。 詳しくは、 消耗品精算 をご覧ください。 CVDとは. スパッタリングとは、真空中で不活性ガス（主に、Ar）を導入、ターゲット（プレート状の成膜材料）にマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させ、不活性ガス原子をイオン化し、高速でターゲットの表面にガスイオンを衝突させて激しく叩き、ターゲットを構成する成膜材料の粒子（原子・分子）を激しく弾き出し、勢いよく基材・基板の表面に付着・堆積させ薄膜を形成する技術です。 スパッタリング法では、高融点金属や合金など、真空蒸着法では困難な材料でも、成膜が可能で、広範囲な成膜材料に対応できます。 スパッタリングの原理. 砂浜に勢いよく小石をぶつけると、砂つぶが勢いよく飛び出します。 これが、スパッタ原理のイメージです。 |apc| awd| ltb| ivy| duv| fxt| qoq| rft| zfg| oqg| ymo| dah| dvt| lbx| amx| jgl| rsh| cou| pwx| oqt| zjx| ilg| eib| xpm| eid| fkc| xmj| ala| bir| omc| njq| pga| nyc| dip| lro| cbi| yrt| xkp| kyw| eok| ede| vuz| iuj| tea| yib| xsg| sxr| jub| bgz| snc|