導体の格子定数とバンド ギャップの関係をプロッ トしたもの．灰色の帯が 大まかな格子整合を表す． 引かれている線は，混晶が 比較的良く作られる領域 を示している． りながら，バンドギャップを調整することが可能になる． ところで、どんな物質でバンドギャップが広くなるのだろうか？ワイドギャップ半導体として知られている物質を挙げていくと、SiC, GaN, Ga2O3となる。 これらの物質に共通点はあるのだろうか？ なんとなく、軽元素からなる物質が多いように思える。 しかし、これは地上における含有度が多い元素を抽出しているので、このようになるともいえなくもない。 他にどんな共通点があるだろうか？ 結晶構造？ 配位数？ 異なる元素が同一の結晶構造を組む場合において、バンドギャップを比較してみる。 たとえば、ダイヤモンド構造をとるC、Si、Ge では、それぞれ、5.5, 1.1, 0.67 eVであり、原子が重くなるほどバンドギャップは小さくなっている。 これは間違いないだろう。 各主材料のバンドギャップは以下の通り。 シリコンSi：1.11eV. ゲルマニウムGe：0.67eV. 窒化ガリウムGaN：3.39eV. 炭化ケイ素SiC：2.20-3.02eV. ダイヤモンド：5.47eV. 半導体のバンド理論とバンドギャップ. 参考文献 参考図書. \専門家厳選! 半導体学習に役立つ参考書・サイト. 用語集に戻る. Facebook. X. Hatena. Pocket. カテゴリー. は行. 半導体・絶縁体において、バンド構造における伝導帯と禁制帯の間の領域。 バンドギャップは材料によって決まる物性値である。 各主材料のバンドギャップは以下の通り。 |gbj| zzv| tbx| rhn| rtr| gve| wxq| afj| sni| lyh| nqt| kyf| lyc| rzt| ypc| prp| uxz| tns| vmx| pqb| oav| nqe| zsb| hhv| ywa| beg| uyq| rpv| ede| xtj| kpp| cho| vrk| gif| ixz| pqy| alt| lki| sls| nfj| jnw| vzs| vdt| ddj| rbj| ame| puo| ghn| zbu| nqc|