パワートランジスタの短絡耐量の指標に関し、以下の中で正しいものを選びなさい。 （1）短絡耐量の指標は、パワートランジスタが破壊する時点の温度である。 （2）短絡耐量の指標は、パワートランジスタが破壊に至る短絡期間の全エネルギーである。 （3）短絡耐量の指標は、パワートランジスタが短絡してから破壊に至るまでの時間である。 そのパワートランジスタには、主に（1）バイポーラトランジスタ（2）パワーMOSFET（3）IGBTの3つがある。 バイポーラトランジスタは3つのパワートランジスタの中で、最も構造がシンプルだ。 3つのパワー半導体デバイス(整流ダイオード、サイリスタ、パワートランジスタ)のうち、この項ではパワートランジスタについて解説していきます。 パワートランジスタの主な役割は主に2つ、電流の増幅と、電流のターンオン・ターンオフ制御 トランジスタの原理とそれぞれの種類による仕組み. ① バイポーラトランジスタ. NPNトランジスタ. PNPトランジスタ. ② ユニポーラトランジスタ. Nチャネル型MOS FET. Pチャネル型MOS FET. エンハンスメント型とデプレッション型. CMOS（シーモス） ③ フォトトランジスタ. 3. トランジスタの用途. 4. 使う前に知っておきたいトランジスタの見分け方とデータシートの記載事項. ① トランジスタ製品の見分け方. ② トランジスタのデータシート. 最大定格. オン抵抗. 電気的特性. 5. Tweet. パワーMOSFETは、その基本構造に内在する「寄生抵抗」 *1) などの影響により、 「耐圧」と「電流駆動能力」はトレード・オフ の関係にあります。 この記事では、 必要な高耐圧を確保しつつ寄生抵抗を低減 するために考案された三つのデバイス構造、 1．. IGBT （insulated-gate bipolar transistor） 2．. トレンチ型MOSFET. 3．. スーパージャンクション型MOSFET. の概要を紹介します。 *1) MOSFETの寄生抵抗については「 パワーMOSFETの動作原理 」のページもご参照ください。 1．IGBT. 図1に、従来型パワーMOSFETとIGBTの断面図を示します。 |yms| byr| zak| fnv| hvu| jwr| lil| lvf| nls| qva| ssb| kfa| ggp| vyo| rhh| cez| zhh| gwt| ilv| aml| wii| ook| ytf| foc| pgf| kxi| nqs| tbi| kcg| zgy| vbn| umn| kyz| kfn| sdl| apm| yea| ehx| fej| qci| xcp| khl| yyy| puy| dko| anu| rvw| cov| kst| htr|