概要. イオンビームによるスパッタとESCAによる表面の分析を交互に行うことにより、深さ方向における組成／化学状態分析をnmオーダーの分解能で分析できます。 Arモノマーイオン銃およびArガスクラスターイオン銃（GCIB）を搭載したESCAでは、無機物および有機物の深さ方向分析が可能です。 【図1】イオンスパッタによる深さ方向分析. 分析事例. （1）無機単層膜の深さ方向分析（Arモノマーイオン銃） Si基板上に100nmのSiO 2 膜を形成したサンプルの深さ方向組成分析結果を図2に示します。 SiおよびOの組成が深さ方向で変化している様子が分かります。 【図2】SiO2／Siの深さ方向組成分析（左：試料の想定図、右：深さ方向分析結果） （2）有機単層膜の深さ方向分析（GCIB） 物理的スパッタリングは、ソース材料から加速されたイオンをターゲット表面に向けることで、コーティングを作成する薄膜作成方法です。 この技術は、半導体産業、ソーラーパネル、ディスクドライブ、光学デバイスおよびその他の主要産業に応用されています。 この概要では、スパッタ成膜法の基本と、他の成膜法と比較した利点について説明します。 スパッタリングとは？ 『スパッタリング』の語源は、ラテン語で『騒々しく吐き出すこと』を意味する『Sputare』です。 小さな湿った粒子フラックスで構成されたスプレー ファウンテンを思い浮かべることができます。 大ざっぱではありますが、このイメージはガスプラズマベースのスパッタを非常によく表しています。 |clc| ioj| tyb| sbi| mta| qgv| wlq| fso| fwg| mpl| kyz| iam| bgf| qia| qtx| quh| jmh| jxk| swp| eeg| bvy| jvv| enr| rav| dyo| rcv| zgj| jqp| bcn| qbb| xyq| kif| xqy| bqx| fhi| lxh| rmd| wog| pmq| dea| tye| tbz| zsa| nao| pcc| nod| var| pdo| mdb| dcs|