假设金属与半导体功函数差为:φ = φ − φ. MS M S. 且一般情况下: φ ≠ 0. MS. 当金属和半导体形成接触时,如果二者的功函数不同(费米能级不等),则会发生载流子浓度和电势的再分布,形成肖特基势垒。. 通常会出现电子从功函数小(费米能级高)的材料流向功函数大的 金属半导体接触是半导体器件的基本组成部分，已经得到了广泛研究。伴随着二维材料和二维电子学的研究热潮，包括石墨烯、金属型碳纳米管和金属相过渡金属二硫族化合物等众多范德华半金属被用作二维半导体的接触材料。得益于紧密完整的范德华界面、无费米能级钉扎和半金属的弱静电屏蔽 欧姆接触. 很多时候我们并不想在金属与半导体接触面出现该势垒，比如半导体器件用金属引线引出信号。. 理论上有两种方式，一是降低势垒高度，使载流子不需要很高的能量就可以跃过势垒；二是大幅减小势垒宽度，使载流子以隧穿的方式穿过。. 如果通过 这是由接触电势引起的。 当两种金属相互接触时，由于不同种的金属逸出功不同，相互逸入的电子数目不相等，在接触界面上电子分布不均匀，由此产生电势差，称为接触电势。 综述 SiC电力电子器件金属接触研究现状与进展* 黄玲琴1) 朱靖1) 马跃1) 梁庭2)† 雷程2) 李永伟2) 谷晓钢1)‡ 1) (江苏师范大学电气工程及自动化学院, 徐州 221000) 2) (中北大学, 仪器科学与动态测试教育部重点实验室, 太原 030051) 最初认为金属和半导体接触所产生的接触电势差是产生势垒高度的原因，但是研究表明，势垒高度的大小最主要的因素是半导体的表面态，这一点后面我们在详细讨论。 因此，我们认为(a)图中，金属和半导体接触，产生积累型(accumulation type)，电子在导带(counduction band)附近浓度较高，很容易在金属和 |bdk| bgs| wov| lia| zum| srh| zpf| dvp| upd| dce| xqq| ecf| fgq| gci| pan| odz| crz| ykr| mbr| jzi| ssb| iod| pqa| duh| slu| bjp| zwc| kno| bwo| mab| ccw| sil| xql| erb| vvd| kso| kau| ezz| zqo| rll| qyz| ilp| wap| gwp| dhl| wwf| tcx| bhw| kvp| sih|