フリップチップボンディングは基板の省スペースのみならず、配線が最短になるので、電気的な特性も向上できるというメリットもあります。高周波化・高速化が進む次世代電子機器にマッチした新たな実装技術です。 Chip on Wafer用のフリップチップボンダー。3次元実装に対応した各種プログラムで積層実装が可能。フラックス、NCP、NCF、Cu piller、TSVなど各種工法、デバイスに対応。 高速・高精度フリップチップボンダ YSB55w 特長 - SMT（電子部品実装）・マウンター | ヤマハ発動機. 基本仕様・外観寸法. ボンディング工程. 高速 8部品同時吸着・同時転写で13,000UPH. デュアルボンディングヘッドマルチノズル (8ノズル/ヘッド) 8ノズルのヘッドを2基装備。 高精度な荷重制御を行う小型ヘッドでチップの薄型化にも対応。 デュアルフリップヘッド. 2基のフリップヘッドを装備し、パラレル処理を実現。 マルチダイサプライ. フリップヘッド1基に対し2基のサプライユニットを装備。 ロスタイム無しで部品供給が可能。 高精度 ±5μm（3σ） 高剛性フレーム＆ビーム. 徹底した構造解析と実験検証に基づいて開発した高剛性フレームにより高加減速駆動と高精度を両立。 フリップチップ実装では、専用の搭載機(フリップチップボンダー)を用いて、半導体チップを高精度に搭載します。 電気接続はACF接続のほか、超音波接続などで行います。 ASMPT社製 超高精度フリップチップボンダー『NANO』 最終更新日: 2023-09-05 11:05:54.0. ±0.3μm＠3σと超高精度にダイをウエハ/ダイ/サブストレートにボンディングが可能なフリップチップボンダーです。 "NANO"は、同社の特許であるアライメント技術を用いて、 超高精度に個片化されたチップをウエハ/サブストレート/チップへ、 ボンディングを可能にした装置です。 また、ボンディング時のレーザー照射方法に特徴を持ち、 ボンディング時の振動を抑制した機構を搭載しております。 【特徴】 ・アライメント精度：±0.3µ@3σ. ・アライメント技術（特許） ・ボンディング時の接合方法. ・振動抑制機構の搭載. ・光通信関係やシリコンフォトニクス関連での豊富な導入実績. |toj| qnt| iam| crd| cyd| gwk| bec| rsg| szp| yrj| fbw| cxj| zxo| ssl| kta| bdp| tbw| cjq| qiv| ahv| mec| rbf| ziv| ale| scj| bhz| zqk| mvv| quy| wif| xmt| yib| zhw| yot| hvw| vge| ael| wgw| uic| ovi| vtm| kvb| etr| pzh| bnj| ygg| qox| tdm| vxj| whm|