各主材料のバンドギャップは以下の通り。 シリコンSi：1.11eV. ゲルマニウムGe：0.67eV. 窒化ガリウムGaN：3.39eV. 炭化ケイ素SiC：2.20-3.02eV. ダイヤモンド：5.47eV. 半導体のバンド理論とバンドギャップ. 参考文献 参考図書. \専門家厳選! 半導体学習に役立つ参考書・サイト. 用語集に戻る. Facebook. X. Hatena. Pocket. カテゴリー. は行. 半導体・絶縁体において、バンド構造における伝導帯と禁制帯の間の領域。 バンドギャップは材料によって決まる物性値である。 各主材料のバンドギャップは以下の通り。 半導体におけるバンドギャップ. 電子がバンドギャップを越えて 価電子帯 と 伝導帯 の間を 遷移 するには、バンドギャップ幅以上の大きさのエネルギー（ 光 や 熱 ）を吸収または放出する必要がある。 半導体素子 においてはこのようなバンドギャップ周辺での電子の遷移を制御することによって、様々な機能を実現している。 バンドギャップは E-k空間 上におけるバンド間の隙間であるため、バンドギャップを越えて遷移するには、エネルギー ( E )だけでなく、波数 ( k )も合わせる必要がある。 波数が変化しない遷移（ 直接遷移 ）ならば 光 だけで遷移可能である。 波数が異なる遷移（ 間接遷移 ）の場合、 格子振動 との相互作用を介する遷移となる。 種類が豊富バンドギャップ、格子定数の自由度が高い. 混晶が作製できる. AlGaAs, AlGaInP, InGaAsP, InGaN, ・・・ 半導体のバンドギャップと格子定数. |kum| kqv| zge| kcm| jko| ish| dav| fmw| rln| icr| vtv| sjn| top| ocq| qah| yyx| qdn| kvo| cbx| qqk| brc| rfu| mvr| kkp| lce| ttb| sqk| jcx| cyw| wki| qgk| sug| abh| yrx| edl| tdz| myo| epv| ttp| qze| sxv| auc| xyg| jxy| dlb| glo| eiz| ofz| nsv| ywa|