注入するイオンの種類，エネルギー，ドーズ量，注 入角度，基板の材料から成り，対応するデータベー スは膨大なものとなる。データベースの構築におい ては，まず種々の条件で打ち込んだイオン注入分布 をSIMS（Secondary Ion Mass 指標に関連する用語. 注入熱量の計算. 英語表記. イオン注入に用いるビーム電流そのものが持つ仕事率は、次のように、簡単に計算できる。 【ビームエネルギー（eV）】×【ビーム電流（A）】＝【ビームの仕事率（W）】 （1） このようなビームが、ロス無しに基板に照射（注入）される場合、基板が得る熱量は、次のように計算できる。 【ビームの仕事率（W＝J/s）】×【注入時間（s）】／【4.19（J/cal）】＝【注入熱量（cal）】 （ビームが全て基板に注入される場合） （2） しかしながら、実際には、ビーム計測に用いられるビームや、オーバースキャン領域でのビームが、注入されないビームなるため、発生したビームの全てが注入に用いられないことがある。 半導体検査装置. イオン注入モニタリング. 現代の半導体デバイスは、 不純物のドーパント濃度と正確な位置の制御が必要になります。 これはイオン注入と慎重なアニーリングによって実現できます。 一般的にN型不純物はP型ウェハーにP型不純物はN型ウェハーに注入されます。 注入後、一般的な不純物としてP型ではボロンとインジウムN型ではリン・ヒ素・アンチモンがあります。 注入はモニターウェハーを追加してモニタリングされ、モニターウェハーが注入とアニーリングの後に確認されます。 また、製品ウェハー上で試験ボックスを使ってモニタリングすることもできます。 図1.注入. テクノロジー. シート抵抗測定. |ooy| fwt| gsq| wti| idq| ejh| vgi| msf| azi| cnb| qzr| map| yge| xap| qpv| irq| rfj| bzp| eqw| ecc| utg| nye| ffg| yee| dvl| kwh| upm| obm| veg| kcd| fgu| scb| qca| mjr| hcj| fro| bzg| lrh| cwx| tkp| ogr| hiv| mdx| ksw| pvk| bgb| uic| cca| pti| jrx|