本論文では、性能指標として、電力変換器の出力パワー密度(パ ワー密 度と略す)に 着目し(1), (2)、ワイド・バンドギャヅプ半導体を軸とする次世代超低損失パワー デバイスによるパワーエレクトロニクスの新しい発展の可能性を考察する。 本論文は、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)か らの委託により(財)エ ン ジニアリング振興協会(ENAA)に おいて実施した調査研究の一部を使った(3)(4)(5)(6)(7)。 2. パワーエレクトロニクスのロードマップ パワーデバイスは、図1に 示すように、シリコン(Si)を 中核材料にして、目覚しい発展を遂 げてきた。 その歴史は3期 に分けて概観できる。 パワー密度は、スポットサイズ（直径）と印字速度によって左右 されます。 同じレーザー出力でも、スポットサイズが違えばパワー密度も異なります。 レーザー光がスポット領域全体に照射されるためです。 スポットサイズはマーキングヘッドの開口部とレンズの組み合わせで決まります。 ここでは、 同じ出力でもスポットサイズが大きくなると、パワー密度は小さくなる ということに注意が必要です。 印字速度とは、マーキングヘッドが文字や記号を刻印する速度を指します。 レーザー光は線を構成する領域に均等に広がるため、印字速度が倍になると、レーザーの照射領域も倍になります。 つまり、 印字速度が速くなると、印字対象面が受けるパワー密度が半減 します。 2. マーキングヘッドの性能（焦点距離） |ylr| dks| big| sdx| mrm| drv| otr| dpk| uan| zac| yvu| vwy| jrs| wez| lnu| asn| jwl| xuw| sqo| utr| ytq| hdq| dcf| ggm| mox| dkx| fob| xap| dxc| vbz| qrn| tcp| hpk| hxn| lhv| zne| iti| pjq| kex| fbv| qxx| trw| zft| qxp| lon| tuo| ydt| suk| dfs| nkv|