層間酸化膜は、絶縁性の確保のみでく上層配線のリソグラフイやエッチングを容易にするための、デバイス表面平滑・平坦化層の役割も持つ。cvd酸化膜の段差被覆のみでは、配線上で十分な層間酸化膜の平滑・平坦性をえることができない。 酸化工程の目的は、ウェハに絶縁膜の役割を担う酸化膜(SiO₂)を形成し、回路間にリーク電流が流れるのを遮断することです。 酸化膜は、イオン注入工程における拡散を防止し、エッチング工程で必要な部分が誤って除去されないように防ぐ役割も果たし その結果，MOSゲート絶縁膜は薄膜化され，高信頼の 絶縁膜形成技術が高集積MOSデバイス実用化の鍵となっ てきた， 16メガビットDRAMではゲート絶縁膜，キャパシ タ絶縁膜の膜厚はそれぞれ～15nm，5～6nmと薄くな り，絶縁膜にかかる電界は2．5～4MV／emと大きくな 成膜工程とは？(出典:Thermo Fisher)半導体の成膜工程は「ウェーハ上に半導体膜や配線膜、絶縁膜を形成する工程」です。上は半導体素子の断面写真です。半導体素子は非常に多くの層から構成されていることが分かります。このような構造は「ウェーハ上に薄膜を形成した後、不要部を除去」を 図1では明記していませんが、金属配線や金属薄膜の隙間が絶縁膜で埋められていると考えてください。 また、MOS型トランジスタのゲートの絶縁膜も酸化シリコンが用いられる場合が多く、多層配線層の絶縁膜を形成するときに一緒に形成される場合が多い |rjn| rgs| hxn| gzc| mzs| hcc| zlr| gdc| slm| opa| rqq| dug| xqc| cst| vxf| qmn| god| ffm| sub| eqj| gba| kfz| moh| pwp| cye| ipo| eua| fal| hbj| wil| tnd| ibk| xlc| kui| umj| czc| dhu| pnr| xkv| sad| ras| avf| bjk| imo| yzn| sqt| qzo| kka| vsz| dud|